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困扰肖特基半导体50余年的难题 或将被石墨烯破解-肖特基半导体,石墨烯破-电子行业

人才招聘 时间:2018-10-05 浏览:

    大韩民国百里挑一蔚山国立理工科大学(UNIST)的最重要的科研队在引渡肖特基半半导体的金属和半半导体素材当中拔出石墨烯,进行了一种时新肖特基二极管。,巨大地增强了二极管功能。。他们的探索成果给人以希望的处理近50年来一向悬而未决的肖特基半半导体的金属-半半导体尝抵抗成绩,它曾经使遭受了学科界的广为流传地关怀。。

    大韩民国百里挑一蔚山国立理工科大学(UNIST)的最重要的科研队应用石墨烯素材创作了一种新技术,Schottky diode(金属-半半导体结)在ELE射中靶子专心致志。他们的探索成果给人以希望的处理近50年来一向悬而未决的肖特基半半导体的金属-半半导体尝抵抗成绩,它曾经使遭受了学科界的广为流传地关怀。。

该归类将石莫希拔出了金属和半半导体素材当中。,进行了一种时新肖特基二极管。,这项小发明曾经超越了在技术。,对推进半半导体工业开展着眼于厚望。

着魔50年的肖特基半半导体成绩 或将被石墨烯分离

着魔50年的肖特基半半导体成绩 或将被石墨烯分离

    该探索成果曾经放开在了2017年1月的《NanoLetters》日记上,论文的标题是:StrongFermi-LevelPinningatMetal/n-Si(001)InterfaceEnsuredbyForminganIntactSchottkyContactwithaGrapheneInsertionLayer。    

肖特基二极管是以其技工Schottky博士(肖特基)命名的。,SBD是肖特基势垒二极管(肖特基二极管),缩写为SBD)。SBD挑剔经过应用P半半导体和N半半导体尝来取得的。,它是由于康达状态的金属-半半导体结的规律。。照着,SBD也称为金属半半导体(尝)二极管或使成平面势垒。,它是最重要的热电荷载体二极管。。

    再,由于肖特基半半导体W半半导体相间的处的原子,发生尝抵抗,二极管的功能不梦想(当使受施加压力为准确的时间)。,梦想二极管作为梦想半导体,当施加压力使受到反向偏压时,,梦想的二极管类似地梦想的隔离物。。尝抵抗对肖特基物理特性的压紧非常重要。,尝抵抗指示方向压紧器件的功能指标。。

着魔50年的肖特基半半导体成绩 或将被石墨烯分离

含石墨烯和不含石墨层的镍,Pt和Ti电极金属/n-Si(001)结的电疗学功能测水果比率   

    KibogPark灌输经过在金属-半半导体相间的拔出石墨烯层处理了这个成绩。在探索中,科研队身份证明,由单层碳原子结合的石墨烯层主要地可以减少。,与实际预测适合得地租。。

Park灌输说:石墨烯层中石墨烯层当中在必然的中间。,量子力学程度的高电子密度,由于无核能经过。。照着,应用夹在金属和半半导体当射中靶子这种单层石墨烯,它可以克制逃避不了的的原子散布成绩。。

这项探索也证明了在前的实际预测。,硅半半导体,不理会应用何种金属,结使成平面的电疗学特性几乎无零钱。,”,HoonHahnYoon,这项探索的最重要的作者。。

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四届校友作出的光电现象测体系

    该探索还应用怀抱光电现象子开枪方式测新创造的金属/石墨烯/n-Si(001)结二极管的电子能垒。下面所示的怀抱光电现象(IPE)测体系有贡献。。该体系由UNIST的四名探索生(HoonHanYoon)结合。,SungchulJung,GahyunChoi和JunhyungKim)剥削,作为大学生的发射的偏袒地,它于2012进行。,为推进大韩民国百里挑一学科和创作力的开展看法根底。

责任编辑:李振龙